三星通过整合第三代技术引领行业发展

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极紫外处理(EUV)标志着半导体技术的新里程碑。在此之前，我们已经介绍了一种新的用于半导体雕刻的LASER EUV技术，该技术一旦成熟，就可以彻底改变nm游戏。今天，正是三星利用EUV技术，通过在10 nm雕刻技术上引入世界上第一个第三代DRAM技术。今天，三星在业界首次宣布已开发出第三代的10纳米(1z-nm)八千兆位(Gb)双倍速DDR4数据DRAM。

在第二代10nm(1y-nm)8Gb DDR4类开始大规模生产后仅16个月，没有使用极紫外处理(EUV)的1z-nm 8Gb DDR4的开发甚至扩展了DRAM规模的范围，甚至进一步。

随着1z-nm成为业界最小的内存处理节点，三星已准备好通过其新的DDR4 DRAM满足不断增长的市场需求，该DDR4 DRAM的生产率比以前的1y-nm版本高20%以上。1z-nm和8Gb DDR4的批量生产将于今年下半年开始，以适应预计于2020年推出的下一代企业服务器和高端PC的需求。

三星1z-nm DRAM的开发也为下一代DDR5，LPDDR5和GDDR6存储器，行业的未来铺平了道路。具有更高容量和性能的1z-nm产品将使三星能够增强竞争力，并巩固其在高端DRAM市场(如服务器，图形和移动设备)中的领导地位。

三星借此机会表示，已经增加了在韩国平泽工厂的部分主存储器生产，以满足对DRAM不断增长的需求。

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