霍尔元件公式推导（霍尔元件公式）

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1、设载流子的电荷量为q,定向移动的速度的平均值为v,磁感应强度为B，平衡时有q*v*B=qE得E=v*B设L为金属片的宽度，电场为匀强电场，于是U=E*L=v*B*L设单位体积内的载流子数为n，则根据电流的定义有I=n*q*V*s式中S=L*d，是薄片的横截面积。

2、消去v可得U=(I*B)/(n*q*d)=K*I*B/d其中K=1/(n*q)称为霍尔系数U为霍尔电压解释：在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场，电场力与洛伦兹力产生平衡之后，不再聚集，此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力，使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移，这个现象称为霍尔效应。

3、而产生的内建电压称为霍尔电压。

4、以上内容参考：百度百科-霍尔效应。

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