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英特尔将在2021年使用6nm TSMC节点并在2022年使用3nm

至于半导体技术,英特尔的10 nm芯片已量产,但该公司还表示,其生产能力不会像22 nm和14 nm芯片大,这可能是一个重要标志。因此,英特尔正在考虑台积电,并将在未来几年内部署其6纳米和3纳米节点。

英特尔将把芯片外包给拥有6和3纳米节点的台积电

此前,业界曾多次报道英特尔也将芯片外包给台积电。根据最新信息,到2021年6纳米节点之后,到2022年将扩展到3纳米。

英特尔预计将在2021年充分利用6纳米TSMC工艺,目前正在对其进行测试。

如果该公司真的打算扩展其芯片的外包业务,那么除了部分外包的芯片组之外,还应该首先使用GPU,因为GPU比CPU更容易制造,而且台积电在制造GPU方面也有经验。

仅英特尔的Xe架构就表明DG1采用专有的10 nm工艺制造。它具有96个执行单元,总共768个内核,1 GHz的基本频率,1.5 GHz的加速频率和1 MB高速缓存以及3 GB视频内存。

预计DG1的性能将与GTX 950相当,它比GTX 1050(适用于节能领域,尤其是笔记本GPU)的低端图形卡差15%。

DG1之后是DG2。以前有报道说DG2将使用台积电的7nm方法。现在有可能最终使用6 nm。

这家颇受欢迎的半导体制造商还宣布,用于数据中心的Ponte Vecchio图形卡将使用他们自己的7纳米EUV工艺,我们不知道这个计划是否会保持不变还是将切换到6纳米节点。我们会通知你的。

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